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力積電計(jì)劃在日本建廠推動(dòng)汽車芯片業(yè)務(wù)
力積電(PSMC)負(fù)責(zé)人近日表示，該公司將利用其在日本的新工廠作為跳板，大幅擴(kuò)展其汽車半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。力積電首席執(zhí)行官黃崇仁在接受媒體采訪時(shí)表示：“日本有巨大的機(jī)會(huì)”，日本具有廣闊的市場(chǎng)前景和眾多車企聚集的地域優(yōu)勢(shì)。
2023-12-15
三星低價(jià)挑戰(zhàn)臺(tái)積電 2nm爭奪戰(zhàn)打響
據(jù)知情人士透露，臺(tái)積電已經(jīng)向其大客戶蘋果和英偉達(dá)等展示了N2（即2納米）原型的制程工藝測(cè)試結(jié)果。三星也在積極推出2納米原型，并采用低價(jià)策略吸引英偉達(dá)等客戶。
2023-12-13
預(yù)計(jì)半導(dǎo)體設(shè)備支出2024年復(fù)蘇回升達(dá)920億美元
國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）日前發(fā)布的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，2023年全球晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計(jì)將從2022年創(chuàng)紀(jì)錄的980億美元，同比下降22%，至760億美元，到2024年會(huì)有所復(fù)蘇，將同比增長21%，至920億美元。
2023-12-12
尼康推出全新ArF浸沒式光刻機(jī) 價(jià)格便宜30%
近日，尼康宣布，將于2024年1月正式推出ArF 193納米浸沒式光刻機(jī)“NSR-S636E”，生產(chǎn)效率、套刻精度都會(huì)有進(jìn)一步提升。據(jù)悉，尼康這款曝光機(jī)采用增強(qiáng)型iAS設(shè)計(jì)，可用于高精度測(cè)量、圓翹曲和畸變校正，重疊精度(MMO)更高，號(hào)稱不超過2.1納米。
2023-12-12
英特爾上訴獲勝 21.8億美元賠償判決被推翻
美國聯(lián)邦巡回區(qū)上訴法院宣布，推翻得州法院陪審團(tuán)2021年的一項(xiàng)裁定，當(dāng)時(shí)認(rèn)定英特爾因?qū)＠謾?quán)需向?qū)＠夹g(shù)公司VLSI賠償21.8億美元，這是美國專利史上最大的判決之一。上訴法院認(rèn)為，英特爾對(duì)其中一項(xiàng)涉及6.75億美元賠償金的專利不構(gòu)成侵權(quán)，而另一項(xiàng)涉及15億美元賠償?shù)膶＠謾?quán)依然成立，但賠償金數(shù)額需要得州法院重新開庭進(jìn)行審理。
2023-12-08
斥資50億歐元!意法半導(dǎo)體將建新SiC晶圓廠
近日，意法半導(dǎo)體決定進(jìn)一步擴(kuò)展其生產(chǎn)設(shè)施，在意大利西西里島的Catane設(shè)立一個(gè)全新的碳化硅(SiC)超級(jí)半導(dǎo)體晶圓廠。這項(xiàng)投資總額高達(dá)50億歐元,該晶圓廠將專門生產(chǎn)碳化硅芯片，為電動(dòng)車關(guān)鍵技術(shù)并具強(qiáng)大成長潛力。
2023-12-06
AMD計(jì)劃在印度設(shè)立全球最大的設(shè)計(jì)中心
AMD宣布在印度班加羅爾開設(shè)了其最大的全球設(shè)計(jì)中心“AMD Technostar”。此舉也是AMD在全球范圍內(nèi)擴(kuò)張的一部分，旨在提高其在競(jìng)爭激烈的半導(dǎo)體市場(chǎng)中的競(jìng)爭力。
2023-12-05
蘋果或放棄自主研發(fā)5G調(diào)制解調(diào)器芯片
供應(yīng)鏈消息人士透露，蘋果公司在多次嘗試完善自研5G調(diào)制解調(diào)器芯片失敗后，或?qū)Q定停止開發(fā)該芯片。
2023-12-04
三星電子CIS產(chǎn)品漲價(jià) 最高漲幅30%
經(jīng)過漫長的低迷期，消費(fèi)電子行業(yè)終于迎來了復(fù)蘇的曙光。近期，媒體報(bào)道三星電子已經(jīng)向客戶發(fā)出CIS漲價(jià)通知，明年一季度平均漲幅高達(dá)25%，且個(gè)別產(chǎn)品漲幅最高上看30%，漲價(jià)產(chǎn)品主要集中3200萬像素以上規(guī)格。
2023-12-01
三星暫停NAND閃存出貨 Q4存儲(chǔ)芯片合約價(jià)超預(yù)期
盡管近期促銷期間大多數(shù)終端產(chǎn)品銷售平平，但在三星、SK海力士和美光三大原廠大幅減產(chǎn)和控制產(chǎn)量的情況下，存儲(chǔ)芯片現(xiàn)貨價(jià)格仍然呈上漲趨勢(shì)。其中，由于虧損情況更為嚴(yán)重，NAND存儲(chǔ)芯片的漲幅更加明顯。
2023-11-30
SK海力士計(jì)劃將下一代HBM采用2.5D扇出封裝技術(shù)
SK海力士正準(zhǔn)備推出“2.5D扇出”封裝，作為其下一代存儲(chǔ)半導(dǎo)體技術(shù)。SK海力士今年在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域取得了成功，對(duì)下一代芯片技術(shù)領(lǐng)域充滿信心，似乎正在通過開發(fā)“專業(yè)”內(nèi)存產(chǎn)品來確保其技術(shù)領(lǐng)先地位。根據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道，SK 海力士正準(zhǔn)備將 2.5D 扇出封裝技術(shù)集成到其繼 HBM 之后的下一代 DRAM 中。
2023-11-29
三菱電機(jī)與安世合作開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體
近日，日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將研發(fā)、供應(yīng)SiC-MOSFET芯片給Nexperia，而Nexperia將研發(fā)搭載三菱電機(jī)芯片的SiC分離式組件（Discrete）。
2023-11-28
存儲(chǔ)市場(chǎng)陷入僵局 買賣雙方開始拉鋸戰(zhàn)
據(jù)報(bào)道，最近DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格一直處于僵持狀態(tài)。其中，DDR5 16G在近一周上旬價(jià)格出現(xiàn)較明顯回落后，之后又微幅拉升，而DDR4 8G則價(jià)格從持穩(wěn)至小降。
2023-11-27
德國補(bǔ)貼或現(xiàn)變數(shù) 英特爾、臺(tái)積電建廠計(jì)劃受影響
近日，德國聯(lián)邦憲法法院的一項(xiàng)裁決致使該國2024年聯(lián)邦預(yù)算被推遲。政府的所有支出都可能受到審查，這將導(dǎo)致英特爾、臺(tái)積電等芯片制造商或損失巨額補(bǔ)貼。
2023-11-25
機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)未來四年HBM市場(chǎng)年增長率將高達(dá)52%
由于人工智能需求激增，HBM和DDR5的價(jià)格和需求都在增長。HBM的價(jià)格是現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品的5-6倍；DDR5的價(jià)格也比DDR4高出15%到20%。從今年到2027年，DRAM市場(chǎng)收入的年增長率預(yù)計(jì)為21%，而HBM市場(chǎng)預(yù)計(jì)將飆升52%。HBM 今年在 DRAM 市場(chǎng)收入中的份額預(yù)計(jì)將超過 10%，到 2027 年將接近 20%。
2023-11-25
博通690億美元收購VMWare獲中國有條件批準(zhǔn)
芯片大廠博通周二表示，計(jì)劃于周三完成對(duì)云計(jì)算公司 VMWare 的 690 億美元收購交易。博通與VMware 的合并是有史以來最大的科技業(yè)交易案之一，雖該案已獲得歐盟、英國、韓國和日本的批準(zhǔn)，但仍需獲得中國的批準(zhǔn)。
2023-11-23
臺(tái)積電計(jì)劃在日本建第三工廠 生產(chǎn)3納米芯片
據(jù)知情人士透露，臺(tái)積電考慮在日本建設(shè)第三座芯片工廠，生產(chǎn)先進(jìn)3納米芯片；這可能使日本成為一個(gè)重要的全球芯片制造中心。知情人士說，這家芯片代工大廠已經(jīng)告知供應(yīng)鏈合作伙伴，其考慮在日本南部的熊本縣建設(shè)第三個(gè)工廠，項(xiàng)目代號(hào)臺(tái)積電Fab-23三期。
2023-11-22
SK海力士將使用子公司的KrF PR，用于238層NAND閃存
據(jù)報(bào)道，SK海力士在2020年以約22.2億元人民幣的價(jià)格收購了錦湖石油化學(xué)的電子材料業(yè)務(wù)部門。最近，據(jù)The Elec報(bào)道，SK海力士開發(fā)的厚氟化氪（KrF）光致抗蝕劑（PR）已經(jīng)通過了該公司的質(zhì)量檢驗(yàn)。
2023-11-21
蘋果自研5G調(diào)制解調(diào)器推遲至2025年底發(fā)布
蘋果自主研發(fā)的5G調(diào)制解調(diào)器項(xiàng)目一直備受關(guān)注，但面臨新的挑戰(zhàn)。據(jù)彭博社記者馬克.古爾曼最新一期 Power On 時(shí)事通訊報(bào)道，蘋果自研5G調(diào)制解調(diào)器的發(fā)布時(shí)間可能會(huì)再次延遲，最早要等到2025年年底。
2023-11-20
三星發(fā)布2.1D 半導(dǎo)體封裝技術(shù) 成本或降22%
三星為了加強(qiáng)和英特爾、臺(tái)積電的競(jìng)爭近日介紹了下一代（2.3D）半導(dǎo)體封裝技術(shù)，可用于封裝AI芯片等高性能半導(dǎo)體。據(jù)介紹，這種封裝技術(shù)在不犧牲性能的情況下，可使成本降低22%。
2023-11-18
