近日，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產品功率半導體。三菱電機將研發(fā)、供應SiC-MOSFET芯片給Nexperia，而Nexperia將研發(fā)搭載三菱電機芯片的SiC分離式組件（Discrete）。
安世半導體雙極性分立器件業(yè)務部資深副總裁兼總經理Mark Roeloffzen表示：“與三菱電機建立共贏的戰(zhàn)略合作伙伴關系，標志著Nexperia在碳化硅技術領域取得了重大進展。與Nexperia的分立產品和封裝技術的高質量標準和專業(yè)知識相輔相成，必將在兩家公司之間產生積極的協(xié)同效應，最終幫助客戶在其服務的工業(yè)、汽車以及消費市場提供高能效產品?！?/span>
三菱電機半導體與器件部執(zhí)行官兼集團總裁Masayoshi Takemi博士表示：“Nexperia是業(yè)界領軍企業(yè)，在高品質分立半導體領域擁有成熟的技術。我們很高興與其達成聯(lián)手開發(fā)合作協(xié)議，從而充分利用兩家公司的半導體技術?！?/p>
公開消息顯示，安世半導體總部位于荷蘭，目前是中國聞泰科技的子公司。11月初，安世半導體被迫轉手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。
三菱電機指出，EV普及、有望帶動SiC功率半導體需求急速擴大。
本文版權歸原作者所有，轉載文章僅為傳播更多信息之目的，如作者信息標記有誤，請第一時間聯(lián)系我們修改或刪除，感謝您的關注！