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美光存儲(chǔ)器迎來新進(jìn)展
2024-05-20

研調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢于17日舉辦了AI服務(wù)器論壇。據(jù)美光透露,他們已經(jīng)長時(shí)間準(zhǔn)備了DDR5技術(shù),并且HBM的產(chǎn)能在2025年之前已經(jīng)達(dá)到了滿載。美光在各種存儲(chǔ)器產(chǎn)品方面有多種布局,并為AI數(shù)據(jù)中心提供了強(qiáng)大的支持。

美光在全球布局超過54,000項(xiàng)專利,存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)先業(yè)界,目前已經(jīng)醞釀很久DDR5,下一代會(huì)做到1γ制程,采用EUV制程技術(shù),計(jì)劃2025年率先在中國臺(tái)灣量產(chǎn)。

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美光表示,公司擁有廣泛的產(chǎn)品群組、長周期生命產(chǎn)品,以及完整的系統(tǒng)規(guī)劃。隨著AI改變數(shù)據(jù)中心生態(tài),讀取方式已經(jīng)不同,必須跟著AI神經(jīng)網(wǎng)路模式運(yùn)作,因此深度學(xué)習(xí)的讀寫比率已經(jīng)到5000:1,意味著讀取速度遠(yuǎn)超過寫入速度,因此選擇合適的儲(chǔ)存設(shè)備相當(dāng)重要。

對(duì)此,美光也進(jìn)行服務(wù)器架構(gòu)優(yōu)化,當(dāng)GPU服務(wù)器和SSD以1:1方式進(jìn)行訓(xùn)練,效能會(huì)做到最好。另外,隨著AI時(shí)代來臨,在AI效能和成本間的平衡也越發(fā)重要,美光推出能最佳化現(xiàn)有系統(tǒng)并延長設(shè)備壽命的DDR4,速度高達(dá)3,200MT/s。在多核心CPU架構(gòu)下,美光DDR5以6,400MT/s速度,使頻寬增至DDR4的2倍、深度學(xué)習(xí)效能為DDR4的5倍、AI性能提升7倍,支持AI、HPC和企業(yè)負(fù)載。

NAND部分,美光目前推出232層NAND,以穩(wěn)定在產(chǎn)品上應(yīng)用為主,并同步發(fā)展HBM3e甚至HBM4。美光表示,CXL也是未來相當(dāng)重要的發(fā)展方向,目前推出的CZ120為存儲(chǔ)器擴(kuò)充模組,可提供更多容量、頻寬和靈活配置,是較為前端的應(yīng)用,目前樣品已經(jīng)分享給合作伙伴。

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