三星電子是全球領(lǐng)先的芯片制造企業(yè)之一，目前正在加強其在芯片代工領(lǐng)域的競爭力。最近，該公司發(fā)布了明確的路線圖，計劃在未來幾年內(nèi)奪取更多的市場份額。
三星電子近日在美國加州硅谷舉辦“2023三星晶圓代工論壇”，發(fā)布瞄準人工智能時代的最尖端晶圓代工流程路線圖。
代工事業(yè)部社長崔世榮表示，眾多合作企業(yè)正積極開發(fā)生成式AI專用半導(dǎo)體，三星電子也為滿足AI市場的需求和技術(shù)趨勢，將對新型全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)（GAA·Gate All Around）進行升級，推動AI技術(shù)革新。崔世榮強調(diào)，將與合作伙伴協(xié)同持續(xù)研發(fā)半導(dǎo)體尖端技術(shù)，使晶片等半導(dǎo)體技術(shù)更加多樣化，加速“后摩爾時代”的到來。
三星電子去年6月實現(xiàn)基于全環(huán)繞柵極（GAA）技術(shù)的3納米工藝半導(dǎo)體產(chǎn)品量產(chǎn)。該公司此前已公布將于2025年起量產(chǎn)基于GAA技術(shù)的2納米工藝半導(dǎo)體，當天則提出了具體時間表，即自2025年起以移動終端為中心，到2026年將2納米工藝適用于高性能計算機集群（HPC），并于2027年將其用途擴至車用芯片。
與此同時，該公司還決定從2025年起提供人工智能技術(shù)所需的高性能低電耗氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓代工服務(wù)。為此，公司將同相關(guān)企業(yè)構(gòu)建先進封裝協(xié)商機制“MDI（Multi Die Integration）同盟”。
三星電子介紹，通過這些措施，公司力爭在2027年將半導(dǎo)體生產(chǎn)能力提升至2021年的7.3倍。